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STP36N06中文资料

  • 大小:201.73KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:36 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.04 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 下降时间:105 ns
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:120 W
  • 上升时间:280 ns
  • 工厂包装数量:50

STP36N06供应商

更新时间:2023-01-04 11:30:44
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